MOSFET DiodesZetex, canale N, 25 Ω, 60 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 669-7578
Codice costruttore:: ZVN3320FTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 25 Ω, 60 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

60 Entro 1 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

80 Entro 1 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

Prezzo per 1pz in confezione da 10

0,13 €

(IVA esclusa)

0,16 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Pack*
10 +	0,13 €	1,30 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 669-7578
Codice costruttore:: ZVN3320FTA
Costruttore:: DiodesZetex

SOT23,NMOS,0.1A,200V,ZVN3320FTA
ESD Control Selection Guide V1

Codice RS:: 669-7578
Codice costruttore:: ZVN3320FTA
Costruttore:: DiodesZetex

SOT23,NMOS,0.1A,200V,ZVN3320FTA
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	60 mA
Tensione massima drain source	200 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	25 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Dissipazione di potenza massima	330 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	3.05mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	60 mA
Tensione massima drain source	200 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	25 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Dissipazione di potenza massima	330 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	3.05mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 25 Ω, 60 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

MOSFET a canale N, da 100 a 950 V, Diodes Inc

MOSFET a canale N, da 100 a 950 V, Diodes Inc

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