2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo P, 63 mΩ, 6.2 A 40 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin FDS4897C
- Codice RS:
- 671-0539
- Codice costruttore:
- FDS4897C
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
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- Costruttore:
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Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N, Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 63mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 20nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.7V | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Larghezza | 4mm | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N, Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 63mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 20nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 0.7V | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 5mm | ||
Larghezza 4mm | ||
Altezza 1.5mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET doppio a canale N/P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
I MOSFET PowerTrench® sono interruttori di potenza ottimizzati che offrono un aumento dell'efficienza del sistema e della densità di potenza. Combinano una piccola carica di gate (Qg), una piccola carica di recupero inverso (Qrr) e un corpo di diodo di recupero inverso morbido, che contribuisce alla rapida commutazione della rettifica sincrona negli alimentatori c.a./c.c.
I MOSFET PowerTrench® più recenti impiegano una struttura a gate schermato che fornisce un bilanciamento della carica. Utilizzando questa tecnologia avanzata, la FOM (Figure of Merit) di questi dispositivi è significativamente inferiore rispetto a quella della generazione precedente.
Le prestazioni dei diodi a corpo morbido dei MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare il circuito di snubber o di sostituire un MOSFET a tensione nominale superiore.
Transistor MOSFET, ON Semi
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I MOSFET semi-ON forniscono un'affidabilità di progettazione superiore, dai picchi di tensione ridotti e dall'eccesso di sovratensione, alla capacità di giunzione più bassa e alla carica di recupero inverso, all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi in funzione e funzionanti più a lungo.
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