2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, 29 mΩ, 6 A 40 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin FDS8949

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
671-0747
Codice costruttore:
FDS8949
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SOIC

Serie

PowerTrench

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

29mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.7nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4 mm

Altezza

1.5mm

Numero elementi per chip

2

Distrelec Product Id

304-43-728

Standard automobilistico

No

MOSFET doppio a canale N per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor offre soluzioni in grado di risolvere le complesse sfide del mercato automobilistico grazie a una perfetta conoscenza degli standard di qualità, sicurezza e affidabilità.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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