MOSFET onsemi, canale N, 100 mΩ, 3,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-3363
Codice costruttore:: FDS9945
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 100 mΩ, 3,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

0,233 €

(IVA esclusa)

0,284 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,233 €	582,50 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 166-3363
Codice costruttore:: FDS9945
Costruttore:: onsemi

FDS9945, 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3,5 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOIC
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	100 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	8 nC a 5 V
Lunghezza	5mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	4mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 100 mΩ, 3,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

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