2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, 100 mΩ, 3.5 A 60 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

555,00 €

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677,50 €

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Codice RS:
166-3363
Codice costruttore:
FDS9945
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

100mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8nC

Tensione diretta Vf

0.8V

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Larghezza

4 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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