2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale N, 100 mΩ, 3.5 A 60 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin FDS9945
- Codice RS:
- 917-5500
- Codice costruttore:
- FDS9945
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 confezione da 25 unità*
16,55 €
(IVA esclusa)
20,20 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- 2275 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,662 € | 16,55 € |
| 100 - 475 | 0,479 € | 11,98 € |
| 500 - 975 | 0,40 € | 10,00 € |
| 1000 - 2475 | 0,341 € | 8,53 € |
| 2500 + | 0,304 € | 7,60 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 917-5500
- Codice costruttore:
- FDS9945
- Costruttore:
- onsemi
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 100mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 8nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Tensione diretta Vf | 800mV | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Larghezza | 4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 100mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Tensione diretta Vf 800mV | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Lunghezza 5mm | ||
Larghezza 4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.5mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor
Transistor MOSFET, ON Semi
Link consigliati
- 2 MOSFET onsemi Tipo isolato 100 mΩ SOIC 8 Pin
- 2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato 300 mΩ SOIC 8 Pin
- 2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato 300 mΩ SOIC 8 Pin NDS9945
- 2 MOSFET onsemi Tipo isolato 107 mΩ SOIC 8 Pin
- 2 MOSFET onsemi Tipo isolato 107 mΩ SOIC 8 Pin FDS89141
- MOSFET onsemi 130 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 130 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie FDS9431A
- 2 MOSFET onsemi Tipo isolato 500 mΩ SOIC 8 Pin