MOSFET onsemi, canale Tipo N 30 V, 0.072 Ω Miglioramento, 6.3 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie FDT439N

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
671-0781
Codice costruttore:
FDT439N
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.072Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

3W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±8 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.5mm

Altezza

1.6mm

Larghezza

3.56 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor


I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Transistor MOSFET, ON Semi


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Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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