- Codice RS:
- 671-0845
- Codice costruttore:
- FDY300NZ
- Costruttore:
- onsemi
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10 + | 0,165 € | 1,65 € |
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- Codice RS:
- 671-0845
- Codice costruttore:
- FDY300NZ
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 600 mA |
Tensione massima drain source | 20 V |
Serie | PowerTrench |
Tipo di package | SOT-523 (SC-89) |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 240 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate minima | 0.6V |
Dissipazione di potenza massima | 625 mW |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -12 V, +12 V |
Materiale del transistor | Si |
Larghezza | 0.98mm |
Lunghezza | 1.7mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Numero di elementi per chip | 1 |
Carica gate tipica @ Vgs | 0,8 nC a 4,5 V |
Altezza | 0.78mm |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
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