MOSFET onsemi, canale Tipo P 60 V, 26 mΩ Miglioramento, 47 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante FQP47P06

Codice RS:: 671-5127
Codice costruttore:: FQP47P06
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo P 60 V, 26 mΩ Miglioramento, 47 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante FQP47P06

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Costruttore:: onsemi

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Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	47A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Serie	QFET
	Tipo di package	TO-220
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	26mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	84nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	160W
	Tensione diretta Vf	-4V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	25V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Larghezza	4.7mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	10.1mm
	Altezza	9.4mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 47A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Serie QFET
	Tipo di package TO-220
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 26mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 84nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 160W
	Tensione diretta Vf -4V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Larghezza 4.7mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 10.1mm
	Altezza 9.4mm
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale P QFET®, Fairchild Semiconductor

I nuovi MOSFET planari QFET® di Fairchild Semiconductor adottano un'avanzata tecnologia brevettata al fine di offrire le migliori prestazioni operative della categoria per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui alimentatori, correzione del fattore di potenza (PFC), convertitori c.c.-c.c., display al plasma (PDP), resistenze di illuminazione, e controllo del movimento.

Garantiscono ridotte perdite allo stato attivo grazie a una minore resistenza (RDS(on)) e ridotte perdite di commutazione grazie a una minore carica di gate (Qg) e capacità di uscita (Coss). L'avanzata tecnologia di processo QFET® consente a Fairchild di offrire un migliore fattore di merito (FOM) rispetto ai dispositivi MOSFET planari della concorrenza.

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

MOSFET onsemi, canale Tipo P 60 V, 26 mΩ Miglioramento, 47 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante FQP47P06

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MOSFET a canale P QFET®, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

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