MOSFET onsemi, canale Tipo P 60 V, 26 mΩ Miglioramento, 47 A, 3 Pin, TO-263, Superficie FQB47P06TM-AM002

Codice RS:: 671-0905
Codice costruttore:: FQB47P06TM-AM002
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo P 60 V, 26 mΩ Miglioramento, 47 A, 3 Pin, TO-263, Superficie FQB47P06TM-AM002

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Codice RS:: 671-0905
Codice costruttore:: FQB47P06TM-AM002
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	47A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Serie	QFET
	Tipo di package	TO-263
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	26mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	3.75W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	25 V
	Tensione diretta Vf	-4V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	84nC
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Lunghezza	10.67mm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	9.65 mm
	Altezza	4.83mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 47A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Serie QFET
	Tipo di package TO-263
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 26mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 3.75W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25 V
	Tensione diretta Vf -4V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 84nC
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Lunghezza 10.67mm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 9.65 mm
	Altezza 4.83mm
	Standard automobilistico No

Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor

La gamma di MOSFET a canale P di Semiconductors viene prodotta utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria ON Semi ad alta densità di celle. Questo processo ad altissima densità è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza allo stato di accensione per fornire prestazioni robuste e affidabili per una commutazione veloce.

Caratteristiche e vantaggi:

• Interruttore piccolo segnale P-Channel a tensione controllata

• Progettazione celle ad alta densità

• Corrente di saturazione elevata

• Commutazione superiore

• Prestazioni robuste e affidabili

• Tecnologia DMOS

Applicazioni:

• Commutazione del carico

• Convertitore DC/DC

• Protezione della batteria

• Controllo della gestione dell'alimentazione

• Comando motore DC

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.