MOSFET onsemi, canale P, 26 mΩ, 47 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 671-0905
Codice costruttore:: FQB47P06TM-AM002
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 26 mΩ, 47 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 671-0905
Codice costruttore:: FQB47P06TM-AM002
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	47 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	26 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	3,75 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Larghezza	9.65mm
Lunghezza	10.67mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	84 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Altezza	4.83mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale P, 26 mΩ, 47 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor

Caratteristiche e vantaggi:

Applicazioni:

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