MOSFET onsemi, canale N, 160 mΩ, 11,6 A, TO-220F, Su foro

Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

11,6 A

Tensione massima drain source

150 V

Tipo di package

TO-220F

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

160 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

53 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-25 V, +25 V

Materiale del transistor

Si

Larghezza

4.7mm

Lunghezza

10.16mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

23 nC a 10 V

Altezza

9.19mm

Serie

QFET

Minima temperatura operativa

-55 °C