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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	N
	Corrente massima continuativa di drain	10 A
	Tensione massima drain source	60 V
	Tipo di package	TO-220F
	Serie	QFET
	Tipo di montaggio	Su foro
	Numero pin	3
	Resistenza massima drain source	110 mΩ
	Modalità del canale	Enhancement
	Tensione di soglia gate minima	1V
	Dissipazione di potenza massima	24 W
	Configurazione transistor	Singolo
	Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
	Carica gate tipica @ Vgs	4,8 nC a 5 V
	Numero di elementi per chip	1
	Massima temperatura operativa	+175 °C
	Lunghezza	10.16mm
	Larghezza	4.7mm
	Materiale del transistor	Si
	Minima temperatura operativa	-55 °C
	Altezza	9.19mm

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	Marchio onsemi
	Tipo di canale N
	Corrente massima continuativa di drain 10 A
	Tensione massima drain source 60 V
	Tipo di package TO-220F
	Serie QFET
	Tipo di montaggio Su foro
	Numero pin 3
	Resistenza massima drain source 110 mΩ
	Modalità del canale Enhancement
	Tensione di soglia gate minima 1V
	Dissipazione di potenza massima 24 W
	Configurazione transistor Singolo
	Tensione massima gate source -20 V, +20 V
	Carica gate tipica @ Vgs 4,8 nC a 5 V
	Numero di elementi per chip 1
	Massima temperatura operativa +175 °C
	Lunghezza 10.16mm
	Larghezza 4.7mm
	Materiale del transistor Si
	Minima temperatura operativa -55 °C
	Altezza 9.19mm

MOSFET a canale N QFET® da 6 A a 10,9 A, Fairchild Semiconductor

I nuovi MOSFET planari QFET® di Fairchild Semiconductor adottano un'avanzata tecnologia brevettata al fine di offrire le migliori prestazioni operative della categoria per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui alimentatori, correzione del fattore di potenza (PFC), convertitori c.c.-c.c., display al plasma (PDP), resistenze di illuminazione, e controllo del movimento.
Garantiscono ridotte perdite allo stato attivo grazie a una minore resistenza (RDS(on)) e ridotte perdite di commutazione grazie a una minore carica di gate (Qg) e capacità di uscita (Coss). L'avanzata tecnologia di processo QFET® consente a Fairchild di offrire un migliore fattore di merito (FOM) rispetto ai dispositivi MOSFET planari della concorrenza.

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

MOSFET onsemi, canale N, 110 mΩ, 10 A, TO-220F, Su foro

MOSFET a canale N QFET® da 6 A a 10,9 A, Fairchild Semiconductor

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