MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 75 V, 8 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante STP140NF75
- Codice RS:
- 687-5302
- Codice costruttore:
- STP140NF75
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prezzo per 1 confezione da 2 unità*
5,75 €
(IVA esclusa)
7,016 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- 7238 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 + | 2,875 € | 5,75 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 687-5302
- Codice costruttore:
- STP140NF75
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 120A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 75V | |
| Serie | STripFET II | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 310W | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 160nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 4.6 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 9.15mm | |
| Lunghezza | 10.4mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 120A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 75V | ||
Serie STripFET II | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 310W | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 160nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 4.6 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 9.15mm | ||
Lunghezza 10.4mm | ||
Standard automobilistico No | ||
STripFET™ II a canale N, STMicroelectronics
I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.
Transistor MOSFET, STMicroelectronics
Link consigliati
- MOSFET STMicroelectronics 8 mΩ TO-220, Su foro
- MOSFET STMicroelectronics 1 120 A Su foro
- MOSFET STMicroelectronics 3 mΩ TO-220, Su foro
- MOSFET STMicroelectronics 3 120 A Su foro
- MOSFET STMicroelectronics 10 120 A Su foro
- MOSFET Infineon 2 120 A Su foro
- MOSFET Infineon 3 mΩ TO-220, Su foro
- MOSFET Infineon 3 120 A Su foro
