MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,38 Ω, 8,3 A, TO-247, Su foro

Codice RS:: 687-5318
Codice costruttore:: STW11NK100Z
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,38 Ω, 8,3 A, TO-247, Su foro

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Codice RS:: 687-5318
Codice costruttore:: STW11NK100Z
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET N-ch 8.3A 1000V SuperMESH TO247
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	8,3 A
Tensione massima drain source	1000 V
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di package	TO-247
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,38 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	230 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Larghezza	5.15mm
Lunghezza	15.75mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	113 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Altezza	20.15mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,38 Ω, 8,3 A, TO-247, Su foro

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MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics

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