MOSFET IXYS, canale N 500 V, 100 mΩ Miglioramento, 48 A, 3 Pin, TO-264, Foro passante IXFK48N50

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
711-5367
Codice Distrelec:
302-53-350
Codice costruttore:
IXFK48N50
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

48A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Serie

HiperFET

Tipo di package

TO-264

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

100mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

500W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

1.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

270nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

19.96mm

Larghezza

5.13mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

26.16mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ IXYS


Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

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