MOSFET Infineon, canale N, 2 mΩ, 280 A, TO-220, Su foro

Name: MOSFET Infineon, canale N, 2 mΩ, 280 A, TO-220, Su foro
Brand: Infineon
SKU: 716-5558
Price: 3.40 EUR
Availability: InStock

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Unità	Per unità	Per confezione**
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**prezzo indicativo

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	280 A
Tensione massima drain source	40 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	330 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.83mm
Carica gate tipica @ Vgs	160 nC @ 10 V
Lunghezza	10.67mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.02mm

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