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    MOSFET Taiwan Semiconductor, canale N, 51 mΩ, 4,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

    Prodotto discontinuato
    Codice RS:
    743-6059
    Codice costruttore:
    TSM2312CX RFG
    Costruttore:
    Taiwan Semiconductor

    Paese di origine:
    TW
    Attributo
    Valore
    Tipo di canaleN
    Corrente massima continuativa di drain4,9 A
    Tensione massima drain source20 V
    Tipo di packageSOT-23
    Tipo di montaggioMontaggio superficiale
    Numero pin3
    Resistenza massima drain source51 mΩ
    Modalità del canaleEnhancement
    Tensione di soglia gate massima1V
    Dissipazione di potenza massima750 mW
    Configurazione transistorSingolo
    Tensione massima gate source-8 V, +8 V
    Numero di elementi per chip1
    Massima temperatura operativa+150 °C
    Lunghezza3.1mm
    Larghezza1.7mm
    Materiale del transistorSi
    Carica gate tipica @ Vgs11 nC @ 4,5 V
    Altezza1.2mm
    Minima temperatura operativa-55 °C

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