MOSFET DiodesZetex, canale P, 100 mΩ, 9,9 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 751-5379
Codice costruttore:: ZXMP4A16KTC
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale P, 100 mΩ, 9,9 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 751-5379
Codice costruttore:: ZXMP4A16KTC
Costruttore:: DiodesZetex

40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	9,9 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	100 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	9,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	29,6 nC a 10 V
Larghezza	6.22mm
Lunghezza	6.73mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	2.39mm

MOSFET DiodesZetex, canale P, 100 mΩ, 9,9 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

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