MOSFET DiodesZetex, canale P, 190 mΩ, 5,9 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 922-8507
Codice costruttore:: ZXMP10A18KTC
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale P, 190 mΩ, 5,9 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)

0,613 €

(IVA esclusa)

0,748 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,613 €	1.532,50 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 922-8507
Codice costruttore:: ZXMP10A18KTC
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	5,9 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	190 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Dissipazione di potenza massima	10,2 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	6.73mm
Larghezza	6.22mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	26,9 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	2.39mm

MOSFET DiodesZetex, canale P, 190 mΩ, 5,9 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, da 100 V a 450 V, Diodes Inc

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