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    MOSFET onsemi, canale N, 1,2 Ω, 3,9 A, TO-220, Su foro

    Prodotto discontinuato
    Codice RS:
    759-8911
    Codice costruttore:
    FCP4N60
    Costruttore:
    onsemi

    Paese di origine:
    CN
    Attributo
    Valore
    Tipo di canaleN
    Corrente massima continuativa di drain3,9 A
    Tensione massima drain source600 V
    SerieSuperFET
    Tipo di packageTO-220
    Tipo di montaggioSu foro
    Numero pin3
    Resistenza massima drain source1,2 Ω
    Modalità del canaleEnhancement
    Tensione di soglia gate minima3V
    Dissipazione di potenza massima50 W
    Configurazione transistorSingolo
    Tensione massima gate source-30 V, +30 V
    Massima temperatura operativa+150 °C
    Lunghezza10.67mm
    Materiale del transistorSi
    Numero di elementi per chip1
    Larghezza4.83mm
    Carica gate tipica @ Vgs12,8 nC a 10 V
    Minima temperatura operativa-55 °C
    Altezza16.51mm

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