Accedi / Registrati per accedere ai vantaggi dedicati a te
Cercato recentemente

    MOSFET onsemi, canale N, 750 mΩ, 10 A, TO-220, Su foro

    Prodotto discontinuato
    Codice RS:
    759-9166
    Codice costruttore:
    FDP10N60NZ
    Costruttore:
    onsemi

    Paese di origine:
    CN
    Attributo
    Valore
    Tipo di canaleN
    Corrente massima continuativa di drain10 A
    Tensione massima drain source600 V
    Tipo di packageTO-220
    Tipo di montaggioSu foro
    Numero pin3
    Resistenza massima drain source750 mΩ
    Modalità del canaleEnhancement
    Tensione di soglia gate minima3V
    Dissipazione di potenza massima185 W
    Configurazione transistorSingolo
    Tensione massima gate source-25 V, +25 V
    Massima temperatura operativa+150 °C
    Materiale del transistorSi
    Lunghezza10.36mm
    Larghezza4.9mm
    Carica gate tipica @ Vgs23 nC a 10 V
    Numero di elementi per chip1
    Altezza16.07mm
    Minima temperatura operativa-55 °C
    SerieUniFET

    Link consigliati