MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 125 mΩ Miglioramento, 24 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante FCP125N65S3R0

Codice RS:: 178-4662
Codice costruttore:: FCP125N65S3R0
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 125 mΩ Miglioramento, 24 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante FCP125N65S3R0

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Codice RS:: 178-4662
Codice costruttore:: FCP125N65S3R0
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	24A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	TO-220
	Serie	FCP
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	125mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	181W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	46nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	16.3mm
	Larghezza	4.7mm
	Lunghezza	10.67mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 24A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package TO-220
	Serie FCP
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 125mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 181W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 46nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 16.3mm
	Larghezza 4.7mm
	Lunghezza 10.67mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET SUPERFET III è la nuovissima famiglia di MOSFET a super-giunzione (SJ) ad alta tensione di ON Semiconductor che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, la serie MOSFET SUPERFET III Easy drive aiuta a gestire problemi di EMI e facilita l'implementazione dei progetti.

700 V a T_J = 150 °C

Bassa capacità di uscita effettiva (tip. Coss(eff.) = 439 pF)

Carica di gate estremamente bassa (tip. Qg = 46 nC)

Capacità ottimizzata

Tip. RDS(on) = 105 mΩ

Resistenza di gate interna: 0,5 Ω

Vantaggi:

Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio

Bassa perdita di commutazione

Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore

Applicazioni:

Elaborazione

Consumer

Industriale

Prodotti finali:

Notebook/computer desktop/console di gioco

Telecomunicazioni/Server

TV LCD/LED

Illuminazione/resistenza a LED

Adattatore

MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 125 mΩ Miglioramento, 24 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante FCP125N65S3R0

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