MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 82 mΩ Miglioramento, 40 A, 3 Pin, TO-220, Superficie NTP082N65S3HF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-8911
Codice costruttore:
NTP082N65S3HF
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

NTP

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

82mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

313W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

81nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.53mm

Larghezza

15.75 mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

4.83mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET on Semiconductor è una nuova famiglia di MOSFET a giunzione super−−ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per un'eccezionale bassa resistenza in stato attivo e prestazioni di carica del gate inferiori. Questa tecnologia Advanced è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione e resiste a estreme velocità dv/dt.

Senza piombo

Conformità RoHS

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