- Codice RS:
- 178-4602
- Codice costruttore:
- NTPF082N65S3F
- Costruttore:
- onsemi
333 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Aggiunto
Prezzo per Unità
6,38 €
(IVA esclusa)
7,78 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità |
1 - 9 | 6,38 € |
10 - 99 | 5,41 € |
100 - 249 | 4,33 € |
250 - 499 | 4,07 € |
500 + | 3,85 € |
- Codice RS:
- 178-4602
- Codice costruttore:
- NTPF082N65S3F
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Features
700 V @ TJ = 150 oC
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 70 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 680 pF)
Optimized Capacitance
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Typ. RDS(on) = 70 mΩ
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge Circuit
Applications
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products
Telecom power
Server power
Solar / UPS
EV charger
700 V @ TJ = 150 oC
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 70 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 680 pF)
Optimized Capacitance
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Typ. RDS(on) = 70 mΩ
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge Circuit
Applications
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products
Telecom power
Server power
Solar / UPS
EV charger
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 40 A |
Tensione massima drain source | 650 V |
Tipo di package | TO-220 |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 82 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 5V |
Tensione di soglia gate minima | 3V |
Dissipazione di potenza massima | 48 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | ±30 V |
Numero di elementi per chip | 1 |
Larghezza | 4.9mm |
Lunghezza | 10.63mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Carica gate tipica @ Vgs | 70 nC a 10 V |
Tensione diretta del diodo | 1.3V |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Altezza | 16.12mm |
- Codice RS:
- 178-4602
- Codice costruttore:
- NTPF082N65S3F
- Costruttore:
- onsemi
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