MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 82 mΩ Miglioramento, 40 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante NTPF082N65S3F

Codice RS:: 178-4602
Codice costruttore:: NTPF082N65S3F
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 82 mΩ Miglioramento, 40 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante NTPF082N65S3F

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Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	TO-220
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	82mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	70nC
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Dissipazione di potenza massima Pd	48W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	16.12mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	10.63mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package TO-220
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 82mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 70nC
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Dissipazione di potenza massima Pd 48W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 16.12mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 10.63mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Features

700 V @ T_J = 150 oC

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 70 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 680 pF)

Optimized Capacitance

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Typ. RDS(on) = 70 mΩ

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge Circuit

Applications

Telecommunication

Cloud system

Industrial

End Products

Telecom power

Server power

Solar / UPS

EV charger

MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 82 mΩ Miglioramento, 40 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante NTPF082N65S3F

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