MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 82 mΩ Miglioramento, 40 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante NTPF082N65S3F
- Codice RS:
- 178-4602
- Codice costruttore:
- NTPF082N65S3F
- Costruttore:
- onsemi
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- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 40A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 82mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 48W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 70nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 16.12mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.63mm | |
| Larghezza | 4.9 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 40A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 82mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 48W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 70nC | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 16.12mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.63mm | ||
Larghezza 4.9 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Features
700 V @ TJ = 150 oC
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 70 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 680 pF)
Optimized Capacitance
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Typ. RDS(on) = 70 mΩ
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge Circuit
Applications
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products
Telecom power
Server power
Solar / UPS
EV charger