Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale Tipo N 150 V, 40 mΩ Miglioramento, 26 A, 3 Pin, TO-252, Superficie FDD390N15A

Codice RS:: 760-5860
Codice costruttore:: FDD390N15A
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 150 V, 40 mΩ Miglioramento, 26 A, 3 Pin, TO-252, Superficie FDD390N15A

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Codice RS:: 760-5860
Codice costruttore:: FDD390N15A
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	26A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	150V
	Tipo di package	TO-252
	Serie	PowerTrench
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	40mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	14.3nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	63W
	Tensione diretta Vf	1.25V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	6.73mm
	Altezza	2.39mm
	Larghezza	6.22mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 26A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V
	Tipo di package TO-252
	Serie PowerTrench
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 40mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 14.3nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 63W
	Tensione diretta Vf 1.25V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 6.73mm
	Altezza 2.39mm
	Larghezza 6.22mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale N PowerTrench® da 20A a 59,9A, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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