MOSFET STMicroelectronics, canale N, 285 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 761-0051
Codice costruttore:: STP18NM60N
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 285 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

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Codice RS:: 761-0051
Codice costruttore:: STP18NM60N
Costruttore:: STMicroelectronics

N-channel 600 V, 0.27 Ohm, 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	13 A
Tensione massima drain source	600 V
Tipo di package	TO-220
Serie	MDmesh
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	285 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	110 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Lunghezza	10.4mm
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.6mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	35 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	15.75mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 285 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

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MDmesh™ a canale N, 600 V/650 V, STMicroelectronics

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