MOSFET STMicroelectronics, canale N, 550 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 103-1079
Codice costruttore:: STP13NK60Z
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 550 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

1,496 €

(IVA esclusa)

1,825 €

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Unità	Per unità	Per stecca**
50 - 50	1,496 €	74,80 €
100 - 450	1,155 €	57,75 €
500 - 950	0,982 €	49,10 €
1000 - 4950	0,89 €	44,50 €
5000 +	0,868 €	43,40 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 103-1079
Codice costruttore:: STP13NK60Z
Costruttore:: STMicroelectronics

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	13 A
Tensione massima drain source	600 V
Tipo di package	TO-220
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	550 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	150 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Lunghezza	10.4mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	66 nC a 10 V
Larghezza	4.6mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	9.15mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 550 mΩ, 13 A, TO-220, Su foro

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MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 250 V a 650 V, STMicroelectronics

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