MOSFET STMicroelectronics, canale N, 550 mΩ, 10 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 168-7484
Codice costruttore:: STP10NM60N
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 550 mΩ, 10 A, TO-220, Su foro

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)

1,786 €

(IVA esclusa)

2,179 €

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Unità	Per unità	Per stecca**
50 +	1,786 €	89,30 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 168-7484
Codice costruttore:: STP10NM60N
Costruttore:: STMicroelectronics

SRAM HM65768
STD10NM60N, STF10NM60N, STI10NM60N, STP10NM60N, STU10NM60N, N-channel 600V, 0.53 Ohm typ., 10A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, I2PAK, TO-220 and IPAK packages
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	10 A
Tensione massima drain source	600 V
Tipo di package	TO-220
Serie	MDmesh
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	550 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	70 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Larghezza	4.6mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	19 nC a 10 V
Lunghezza	10.4mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	15.75mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 550 mΩ, 10 A, TO-220, Su foro

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MDmesh™ a canale N, 600 V/650 V, STMicroelectronics

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