MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 79 mΩ Miglioramento, 33 A, 3 Pin, TO-263, Superficie STB42N65M5

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
761-0402
Codice costruttore:
STB42N65M5
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

33A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

MDmesh M5

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

79mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

100nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

190W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

10.4 mm

Lunghezza

10.75mm

Altezza

4.6mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MDmesh™ a canale N serie M5, STMicroelectronics


I MOSFET di potenza MDmesh M5 sono ottimizzati per le topologie PFC e PWM ad alta potenza. Le caratteristiche principali includono una bassa perdita in stato attivo per ogni area di silicio unitamente a una bassa carica di gate. Sono progettati per applicazioni hard switching compatte, affidabili e a risparmio energetico, come ad esempio convertitori di energia solare, alimentatori per prodotti di consumo e comandi di illuminazione elettronici.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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