MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2,5 Ω, 8 A, TO-247, Su foro

Codice RS:: 761-0639
Codice costruttore:: STW9N150
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2,5 Ω, 8 A, TO-247, Su foro

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Codice RS:: 761-0639
Codice costruttore:: STW9N150
Costruttore:: STMicroelectronics

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	8 A
Tensione massima drain source	1500 V
Tipo di package	TO-247
Serie	MDmesh
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	320 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Lunghezza	15.75mm
Larghezza	5.15mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	89,3 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	20.15mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2,5 Ω, 8 A, TO-247, Su foro

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MDmesh™ a canale N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics

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