MOSFET STMicroelectronics, canale N, 9 Ω, 2,5 A, TO-247, Su foro

Codice RS:: 920-6636
Codice costruttore:: STW3N150
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 9 Ω, 2,5 A, TO-247, Su foro

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Prezzo per Cadauno (in una stecca da 30)**

2,928 €

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3,572 €

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Unità	Per unità	Per Tubo**
30 - 30	2,928 €	87,84 €
60 - 120	2,706 €	81,18 €
150 +	2,639 €	79,17 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 920-6636
Codice costruttore:: STW3N150
Costruttore:: STMicroelectronics

N-channel PowerMESH MOSFET Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,5 A
Tensione massima drain source	1500 V
Tipo di package	TO-247
Serie	MDmesh
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	9 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	140 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Larghezza	5.15mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	29,3 nC a 10 V
Lunghezza	15.75mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Altezza	20.15mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 9 Ω, 2,5 A, TO-247, Su foro

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MDmesh™ a canale N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics

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