MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1500 V, 9 Ω Miglioramento, 2.5 A, 3 Pin, H2PAK, Superficie

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Codice RS:
103-2012
Codice costruttore:
STH3N150-2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

2.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1500V

Tipo di package

H2PAK

Serie

MDmesh

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

140W

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29.3nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

15.8 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.8mm

Lunghezza

10.4mm

Standard automobilistico

No

MDmesh™ a canale N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics


Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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