MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1500 V, 9 Ω Miglioramento, 2.5 A, 3 Pin, H2PAK, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

2946,00 €

(IVA esclusa)

3594,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 2000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1000 +2,946 €2.946,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
103-2012
Codice costruttore:
STH3N150-2
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

2.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1500V

Tipo di package

H2PAK

Serie

MDmesh

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

140W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29.3nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.4mm

Larghezza

15.8mm

Altezza

4.8mm

Standard automobilistico

No

MDmesh™ a canale N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics


Transistor MOSFET, STMicroelectronics


Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.