MOSFET STMicroelectronics, canale N 1.5 kV, 9 Ω Miglioramento, 2.5 A, 3 Pin, H2PAK, Superficie STH3N150-2

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Codice RS:
103-2012
Codice costruttore:
STH3N150-2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

2.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.5kV

Tipo di package

H2PAK

Serie

MDmesh

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-30V, +30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29.3nC

Dissipazione di potenza massima Pd

140W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

15.8mm

Lunghezza

10.4mm

Altezza

4.8mm

Standard automobilistico

No

MDmesh™ a canale N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics


Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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