MOSFET di potenza FDmesh II STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 0.45 Ω Miglioramento, 10 A, 3 Pin, TO-220FP, Foro

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
761-2745
Codice costruttore:
STF11NM60ND
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza FDmesh II

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-220FP

Serie

FDmesh

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.45Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Dissipazione di potenza massima Pd

90W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

16.4mm

Larghezza

4.6mm

Lunghezza

10.4mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza FDmesh™ a canale N, STMicroelectronics


Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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