MOSFET di potenza FDmesh II STMicroelectronics, canale N 600 V, 0.45 Ω Miglioramento, 10 A, 3 Pin, TO-220FP, Foro

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
761-2745
Codice costruttore:
STF11NM60ND
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza FDmesh II

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-220FP

Serie

FDmesh

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.45Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

90W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-25V, +25V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.6mm

Altezza

16.4mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.4mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza FDmesh™ a canale N, STMicroelectronics


Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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