MOSFET STMicroelectronics, canale N, 165 mΩ, 20 A, TO-220FP, Su foro

Codice RS:: 761-2792
Codice costruttore:: STF26NM60N
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 165 mΩ, 20 A, TO-220FP, Su foro

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Codice RS:: 761-2792
Codice costruttore:: STF26NM60N
Costruttore:: STMicroelectronics

N-channel 600 V, 0.135 Ohm, 20 A MDmesh(TM) II Power MOSFET D2PAK
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	20 A
Tensione massima drain source	600 V
Tipo di package	TO-220FP
Serie	MDmesh
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	165 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	35 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	10.4mm
Larghezza	4.6mm
Carica gate tipica @ Vgs	60 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Altezza	16.4mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 165 mΩ, 20 A, TO-220FP, Su foro

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MDmesh™ a canale N, 600 V/650 V, STMicroelectronics

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