MOSFET onsemi, canale P, 54 mΩ, 7,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 761-3971
Codice costruttore:: NDT456P
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 54 mΩ, 7,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 761-3971
Codice costruttore:: NDT456P
Costruttore:: onsemi

NDT456P, P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET)
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	7,5 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	54 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	3 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	47 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	6.7mm
Larghezza	3.7mm
Altezza	1.7mm
Minima temperatura operativa	-65 °C

MOSFET onsemi, canale P, 54 mΩ, 7,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor

Caratteristiche e vantaggi:

Applicazioni:

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