MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 60 V, 3 Ω Miglioramento, 380 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie 2N7002K-7
- Codice RS:
- 770-3383
- Codice costruttore:
- 2N7002K-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 confezione da 100 unità*
3,90 €
(IVA esclusa)
4,80 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 1100 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
- Più 360.800 unità in spedizione dal 12 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 100 + | 0,039 € | 3,90 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 770-3383
- Codice costruttore:
- 2N7002K-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 380mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | 2N7002 | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.3nC | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 540mW | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 1.4 mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 380mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie 2N7002 | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.3nC | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 540mW | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 1.4 mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc
Transistor MOSFET, Diodes Inc.
Link consigliati
- MOSFET DiodesZetex 3 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 4.8 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie 2N7002K
- MOSFET DiodesZetex 20 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET DiodesZetex 20 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie DMN61D9UT-7
- MOSFET onsemi 4.8 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET di potenza TrenchFET Vishay 2 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET DiodesZetex 3 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET onsemi 2.5 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
