MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 2.5 Ω Miglioramento, 380 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie 2N7002KT1G
- Codice RS:
- 780-0478
- Codice costruttore:
- 2N7002KT1G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice costruttore:
- 2N7002KT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 380mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | 2N7002K | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.5Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 420mW | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.7nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 1.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 3.04mm | |
| Altezza | 1.01mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 380mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie 2N7002K | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.5Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 420mW | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.7nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 1.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 3.04mm | ||
Altezza 1.01mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il 2N7002K è un MOSFET di segnale piccolo. Questo MOSFET è un singolo canale N con protezione ESD in un contenitore per montaggio superficiale. Questo MOSFET ha migliorato l'efficienza del sistema e fa un grande uso nelle applicazioni portatili.
Caratteristiche e vantaggi:
• Protezione ESD
• N-Channel
• RDS basso
• PB e alogene gratis
• Scarico verso la sorgente - 60V.
• Miglioramento dell'efficienza del sistema
Applicazioni:
• Convertitore DC-DC
• Circuiti di traslazione di livello
• Interruttori di carico laterali bassi
• Applicazioni portatili come: Telefoni, PDA, DSC, laptop e tablet.
MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor
Transistor MOSFET, ON Semiconductor
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