MOSFET onsemi, canale N, 2,5 Ω, 320 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 163-2026
Codice costruttore:: 2V7002KT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 2,5 Ω, 320 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 163-2026
Codice costruttore:: 2V7002KT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	320 mA
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.3V
Dissipazione di potenza massima	420 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	1.4mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	3.04mm
Carica gate tipica @ Vgs	0,7 nC a 4,5 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.01mm

MOSFET onsemi, canale N, 2,5 Ω, 320 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N con diodo Schottky, ON Semiconductor

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