MOSFET Infineon, canale N, 3,3 mΩ, 120 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 776-9181
Codice costruttore:: IRFB7446PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 3,3 mΩ, 120 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:: 776-9181
Codice costruttore:: IRFB7446PBF
Costruttore:: Infineon

StrongIRFET IRFB7446PbF, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	120 A
Tensione massima drain source	40 V
Serie	StrongIRFET
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	3,3 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.9V
Tensione di soglia gate minima	2.2V
Dissipazione di potenza massima	99 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	93 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.67mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	4.83mm
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	16.51mm

MOSFET Infineon, canale N, 3,3 mΩ, 120 A, TO-220AB, Su foro

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MOSFET di potenza StrongIRFET™, Infineon

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