MOSFET onsemi, canale P, 196 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

Marchio

onsemi

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

12 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

TO-220

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

196 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Dissipazione di potenza massima

62,5 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+175 °C

Lunghezza

10.28mm

Carica gate tipica @ Vgs

14 nC a 10 V

Larghezza

4.82mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

9.28mm