MOSFET onsemi, canale Tipo P 60 V, 72 mΩ Miglioramento, 20 A, 8 Pin, WDFN, Superficie NTTFS5116PLTAG
- Codice RS:
- 780-4786
- Codice costruttore:
- NTTFS5116PLTAG
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
5,61 €
(IVA esclusa)
6,84 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Pochi pezzi in magazzino
- 8800 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Le nostre scorte attuali sono limitate e i nostri fornitori prevedono difficoltà di approvvigionamento.
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 + | 0,561 € | 5,61 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 780-4786
- Codice costruttore:
- NTTFS5116PLTAG
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | NTTFS5116PL | |
| Tipo di package | WDFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 72mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 25nC | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 40W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 3.15mm | |
| Altezza | 0.75mm | |
| Larghezza | 3.15 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie NTTFS5116PL | ||
Tipo di package WDFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 72mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 25nC | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 40W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 3.15mm | ||
Altezza 0.75mm | ||
Larghezza 3.15 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale P da 30 V a 500 V, ON Semiconductor
Transistor MOSFET, ON Semiconductor
Link consigliati
- MOSFET onsemi 72 mΩ WDFN, Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 72 mΩ WDFN, Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 380 mΩ7 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi P 200 mΩ1 A6 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 72 mΩ5 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 250 mΩ5 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 15 57 WDFN, Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 15 41 A Montaggio superficiale
