MOSFET STMicroelectronics, canale N, 110 mΩ, 28 A, TO-247, Su foro

Codice RS:: 783-2996
Codice costruttore:: STW34N65M5
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 110 mΩ, 28 A, TO-247, Su foro

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Codice RS:: 783-2996
Codice costruttore:: STW34N65M5
Costruttore:: STMicroelectronics

ST*34N65M5 N-channel V Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	28 A
Tensione massima drain source	710 V
Tipo di package	TO-247
Serie	MDmesh M5
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	110 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	190 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Carica gate tipica @ Vgs	62,5 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	5.15mm
Lunghezza	15.75mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Altezza	20.15mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 110 mΩ, 28 A, TO-247, Su foro

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MDmesh™ a canale N serie M5, STMicroelectronics

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