Codice costruttore

MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 710 V, 45 mΩ Miglioramento, 58 A, 3 Pin, TO-3PF, Foro passante STFW69N65M5

Codice RS:: 783-3018
Codice costruttore:: STFW69N65M5
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 710 V, 45 mΩ Miglioramento, 58 A, 3 Pin, TO-3PF, Foro passante STFW69N65M5

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Codice RS:: 783-3018
Codice costruttore:: STFW69N65M5
Costruttore:: STMicroelectronics

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	STMicroelectronics
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	58A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	710V
	Serie	MDmesh M5
	Tipo di package	TO-3PF
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	45mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.5V
	Dissipazione di potenza massima Pd	79W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	143nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	25V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	26.7mm
	Lunghezza	15.7mm
	Larghezza	5.7mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio STMicroelectronics
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 58A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 710V
	Serie MDmesh M5
	Tipo di package TO-3PF
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 45mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.5V
	Dissipazione di potenza massima Pd 79W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 143nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 26.7mm
	Lunghezza 15.7mm
	Larghezza 5.7mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: KR

MDmesh™ a canale N serie M5, STMicroelectronics

I MOSFET di potenza MDmesh M5 sono ottimizzati per le topologie PFC e PWM ad alta potenza. Le caratteristiche principali includono una bassa perdita in stato attivo per ogni area di silicio unitamente a una bassa carica di gate. Sono progettati per applicazioni hard switching compatte, affidabili e a risparmio energetico, come ad esempio convertitori di energia solare, alimentatori per prodotti di consumo e comandi di illuminazione elettronici.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics

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