Codice costruttore

MOSFET STMicroelectronics, canale N 710 V, 69 mΩ Miglioramento, 22 A, 5 Pin, PowerFLAT, Superficie STL57N65M5

Codice RS:: 783-3056
Codice costruttore:: STL57N65M5
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N 710 V, 69 mΩ Miglioramento, 22 A, 5 Pin, PowerFLAT, Superficie STL57N65M5

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Codice RS:: 783-3056
Codice costruttore:: STL57N65M5
Costruttore:: STMicroelectronics

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	STMicroelectronics
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	22A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	710V
	Serie	MDmesh M5
	Tipo di package	PowerFLAT
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	69mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	96nC
	Tensione diretta Vf	1.5V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	2.8W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-25V, +25V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	8mm
	Altezza	950μm
	Larghezza	8mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

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	Marchio STMicroelectronics
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 22A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 710V
	Serie MDmesh M5
	Tipo di package PowerFLAT
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 69mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 96nC
	Tensione diretta Vf 1.5V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 2.8W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -25V, +25V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 8mm
	Altezza 950μm
	Larghezza 8mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

MDmesh™ a canale N serie M5, STMicroelectronics

I MOSFET di potenza MDmesh M5 sono ottimizzati per le topologie PFC e PWM ad alta potenza. Le caratteristiche principali includono una bassa perdita in stato attivo per ogni area di silicio unitamente a una bassa carica di gate. Sono progettati per applicazioni hard switching compatte, affidabili e a risparmio energetico, come ad esempio convertitori di energia solare, alimentatori per prodotti di consumo e comandi di illuminazione elettronici.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics

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