Transistor MOSFET International Rectifier, canale N, 75 mΩ, 2,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
784-9142P
Codice costruttore:
AUIRFL024N
Costruttore:
International Rectifier
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Marchio

International Rectifier

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

2,8 A

Tensione massima drain source

55 V

Tipo di package

SOT-223

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

75 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

1 W

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Larghezza

3.7mm

Lunghezza

6.7mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

18,3 nC a 10 V

Numero di elementi per chip

1

Altezza

1.8mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
MY

MOSFET di potenza a canale N per uso automobilistico, Infineon


La gamma completa di dispositivi a canale N a stampo singolo qualificati AECQ-101 per uso automobilistico di Infineon soddisfa un'ampia varietà di requisiti di alimentazione in svariate applicazioni. Questa gamma di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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