Transistor MOSFET International Rectifier, canale N, 75 mΩ, 2,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Marchio

International Rectifier

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

2,8 A

Tensione massima drain source

55 V

Tipo di package

SOT-223

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

75 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

1 W

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Carica gate tipica @ Vgs

18,3 nC a 10 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

6.7mm

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

3.7mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

1.8mm