MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 29 mΩ Miglioramento, 40 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SQD40N06-14L_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
787-9484
Codice costruttore:
SQD40N06-14L_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Serie

SQ Rugged

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

29mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

75W

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.22 mm

Altezza

2.38mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET canale N, serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor


I MOSFET serie SQ di Vishay Semiconductor sono progettati per tutte le applicazioni automobilistiche che richiedono robustezza e un'elevata affidabilità.

Vantaggi dei MOSFET serie SQ Rugged


• Qualifica AEC-Q101

• Temperatura di giunzione fino a +175 °C

• Tecnologie TrenchFET® a canale N e canale P con bassa resistenza all'accensione

• Innovative opzioni per contenitore salvaspazio

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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