Codice costruttore

MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 29 mΩ Miglioramento, 40 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SQD40N06-14L_GE3

Codice RS:: 787-9484
Codice costruttore:: SQD40N06-14L_GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 29 mΩ Miglioramento, 40 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SQD40N06-14L_GE3

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Codice RS:: 787-9484
Codice costruttore:: SQD40N06-14L_GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	TO-252
	Serie	SQ Rugged
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	29mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	75W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	34nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	2.38mm
	Lunghezza	6.73mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package TO-252
	Serie SQ Rugged
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 29mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 75W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 34nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 2.38mm
	Lunghezza 6.73mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

MOSFET canale N, serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor

I MOSFET serie SQ di Vishay Semiconductor sono progettati per tutte le applicazioni automobilistiche che richiedono robustezza e un'elevata affidabilità.

Vantaggi dei MOSFET serie SQ Rugged

• Qualifica AEC-Q101

• Temperatura di giunzione fino a +175 °C

• Tecnologie TrenchFET® a canale N e canale P con bassa resistenza all'accensione

• Innovative opzioni per contenitore salvaspazio

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

Approvals

AEC-Q101

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