MOSFET STMicroelectronics, canale N 100 V, 18 mΩ Miglioramento, 45 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD45N10F7

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
791-9291
Codice costruttore:
STD45N10F7
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

45A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

STripFET H7

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

18mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

60W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

6.2mm

Lunghezza

6.6mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.4mm

Standard automobilistico

No

STripFET™ a canale N, serie H7, STMicroelectronics


I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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