MOSFET Toshiba, canale N, 5,4 mΩ, 105 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 796-5106P
Codice costruttore:: TK58E06N1
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale N, 5,4 mΩ, 105 A, TO-220, Su foro

Prodotto discontinuato

Alternativa

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MOSFET Toshiba, canale N, 5,4 mΩ, 105 A, TO-220, Su foro

Codice RS: 168-7779

Cadauno (in una stecca da 50)

0,856 €

(IVA esclusa)

1,044 €

(IVA inclusa)

Codice RS:: 796-5106P
Codice costruttore:: TK58E06N1
Costruttore:: Toshiba

TK58E06N1, Silicon N-channel MOSFET (U-MOSVIII-H) Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	105 A
Tensione massima drain source	60 V
Serie	TK
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	5,4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Dissipazione di potenza massima	110 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	46 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	10.16mm
Larghezza	4.45mm
Numero di elementi per chip	1
Altezza	15.1mm