MOSFET Toshiba, canale Tipo N 60 V, 5.4 mΩ Miglioramento, 105 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante TK58E06N1

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Codice RS:
168-7779
Codice costruttore:
TK58E06N1
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

105A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

TK

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Tensione diretta Vf

-1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.16mm

Altezza

15.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.45 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
JP

Transistor MOSFET, Toshiba


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