MOSFET Toshiba, canale N, 5,4 mΩ, 105 A, TO-220, Su foro
- Codice RS:
- 168-7779
- Codice costruttore:
- TK58E06N1
- Costruttore:
- Toshiba
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Aggiunto
Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)
0,827 €
(IVA esclusa)
1,009 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per stecca* |
| 50 + | 0,827 € | 41,35 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 168-7779
- Codice costruttore:
- TK58E06N1
- Costruttore:
- Toshiba
Normative
- Paese di origine:
- JP
Dettagli prodotto
Transistor MOSFET, Toshiba
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 105 A |
| Tensione massima drain source | 60 V |
| Tipo di package | TO-220 |
| Serie | TK |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 5,4 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 4V |
| Dissipazione di potenza massima | 110 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Larghezza | 4.45mm |
| Carica gate tipica @ Vgs | 46 nC a 10 V |
| Lunghezza | 10.16mm |
| Materiale del transistor | Si |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Altezza | 15.1mm |
- Codice RS:
- 168-7779
- Codice costruttore:
- TK58E06N1
- Costruttore:
- Toshiba