MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 2.4 mΩ Miglioramento, 100 A, 4 Pin, SOT-669, Superficie PSMN1R7-30YL,115

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
798-2912
Codice costruttore:
PSMN1R7-30YL,115
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-669

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

77.9nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

109W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.1 mm

Lunghezza

5mm

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH

MOSFET a canale N, fino a 30 V.


Transistor MOSFET, NXP Semiconductors


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