MOSFET Nexperia, canale N, 2,4 mΩ, 100 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Codice RS:: 798-2912
Codice costruttore:: PSMN1R7-30YL,115
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 2,4 mΩ, 100 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile

Prezzo per Unità

0,65 €

(IVA esclusa)

0,79 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Nastro*
5 +	0,65 €	3,25 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 798-2912
Codice costruttore:: PSMN1R7-30YL,115
Costruttore:: Nexperia

Documentazione Tecnica

Normative

Paese di origine:: PH

Dettagli prodotto

MOSFET a canale N, fino a 30 V.

Transistor MOSFET, NXP Semiconductors

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	LFPAK, SOT-669
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	2,4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.15V
Tensione di soglia gate minima	1.3V
Dissipazione di potenza massima	109 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	4.1mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	5mm
Carica gate tipica @ Vgs	77,9 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C