MOSFET IXYS, canale N, 27 mΩ, 120 A, PLUS247, Su foro

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Codice RS:
802-4492
Codice costruttore:
IXFX120N30P3
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

120 A

Tensione massima drain source

300 V

Tipo di package

PLUS247

Serie

HiperFET, Polar3

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

27 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

5V

Dissipazione di potenza massima

1,13 kW

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

16.13mm

Carica gate tipica @ Vgs

150 nC @ 10 V

Materiale del transistor

Si

Larghezza

5.21mm

Altezza

21.34mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

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